中国の長沙市に本社を置くパワー半導体メーカー 湖南三安半導体有限公司（Hunan Sanan Semiconductor Co.,Ltd.）製の６インチSiC（炭化ケイ素）ウエハーに続き、８インチSiC（炭化ケイ素）ウエハー及びダミーグレードウエハーの販売を開始いたします。
お問い合わせは： 新素材事業本部までお願いたします。 （hp.electronics@yamato-material.co.jp）
SiCパワー半導体は、従来のシリコンウェハーを用いたパワー半導体と比べ、電力損失が少なく、省エネルギー化に貢献するデバイスとして注目されています。当社ではSiCの結晶成長、ウエハ、エピタキシャル成長、チップ製造からパッケージングまでの一貫メーカー 三安半導体有限公司(Sanan Semiconductor)のSBD、MOSFET、SiC（炭化ケイ素）ウエハー、エピウエハーの販売、並びに三安光電股分有限公司 miniLED、microLEDの国内販売代理店です。
湖南三安半導体は：中国 湖南省 長沙市 ハイテク開発ゾーンに拠点を置くパワー半導体SiC／GaN専業メーカーです。独自の研究開発と産業協力を通じて結晶成長、SiC基板、エピ、チップの製造及びパッケージングまでを垂直統合とし、お客様のニーズに応えるべき製品ラインアップを実現しています。 パウダー調合からデバイスのパッケージング及びテスト工程までのすべての管理、オートメーション化で生産能力の向上と厳格なコスト管理、国際品質基準を現実化しつつある会社です。 事業内容は、 ／SiC結晶成長 ／SiC基板 ／SiCエピ成長 ／チップ製造 ／パッケージング ／SBD ／MOSEFT ／SiCパワーデバイスモジュール ／各工程ごとのファンドリービジネス ／GaNファンドリービジネス と多岐にわたります。
