SiCパワー半導体 三安半導体（湖南三安半導体）製品
概要
三安半導体（Hunan Sanan Semiconductor Co.,Ltd.）はパワー半導体SiC／GaNの専業メーカーです。中国湖南省長沙市ハイテク開発ゾーンに材料からパッケージングまでの全長1.4㎞のSiCパワー半導体のメガファブを構えています。同じ規模の工場を現在隣に建設中です。独自の研究開発と産業の協力を通じて結晶成長、SiC（炭化ケイ素）ウエハ、エピ成長、チップの製造及びパッケージングまでを垂直統合した一貫工場です。
パウダーの調合からデバイスのパッケージング及びテスト工程まですべてを管理。積極的な自動化で生産能力の向上と厳格なコストを管理しています。
湖南三安半導体（Hunan Sanan Semiconductor Co.,Ltd.）の事業は、 SiC（炭化ケイ素）結晶成長 ／SiC（炭化ケイ素）基板 ／SiCエピ成長 ／チップ製造 ／パッケージング ／SBD ／MOSEFT ／SiCパワーデバイスモジュール と各工程ごとのファンドリービジネスやGaN（ガリウムナイトライド）のファンドリービジネスと多岐にわたります。
ヤマトマテリアルはパワー半導体のチップ検査コンタクタ、パワーサイクル試験受託、熱解析装置、チップ出荷用トレイなどの販売に加え、湖南三安半導体（Hunan Sanan Semiconductor Co.,Ltd.）のSICウエハー（6インチ、8インチ、プライム、ダミーグレード）、KGDチップ、SBD、MOSFETのディスクリートデバイスの販売とファウンドリービジネスのご提案をしています。
湖南三安半導体SiC Mega Fab 一貫工場の全景
6インチ、8インチシリコンカーバイト
SiCインゴット、バルク、サブストレート、エピタキシャル、デバイス製造、PKG、モジュールの一貫生産体制
アズスライス、サブストレート、エピタキシャルウエハのご用命はお問い合わせください。
SiC MOSFET／SBD
| VDSS ( V ) | 650 | 750 | 900 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RDS(ON) ( mΩ ) | 27 | 35 | 50 | 65 | 11 | 15 | |||
| VDSS ( V ) | 1200 | 1700 | |||||||
| RDS(ON) ( mΩ ) | 8 | 13 | 16 | 18 | 20 | 32 | 40 | 75 | 1000 |
自動車駆動；車両のパワートレイン制御、モータードライブ、電源スイッチング
OBC（オンボードチャージャー）; EVのバッテリーチャージ
充電スタンド；EVの急速充電
PVインバーター；太陽光発電のインバーター
エネルギー貯蔵；バッテリーマネジメントおよびエネルギー貯蔵システム
| VRRM ( V ) | 650 | |||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IF ( A ) | 1 | 2 | 4 | 6 | 8 | 10 | 12 | 16 | 20 | 30 | 40 | 50 |
| VRRM ( V ) | 1200 | |||||||||||
| IF ( A ) | 1 | 2 | 3 | 5 | 10 | 15 | 20 | 27 | 30 | 40 | 50 | 60 |
| VRRM ( V ) | 1700 | |||||||||||
| IF ( A ) | 25 | 50 | ||||||||||
| VRRM ( V ) | 2000 | |||||||||||
| IF ( A ) | 20 | 40 | ||||||||||
主な用途
PVインバーター ; 太陽光発電の変換
エネルギー貯蔵 ; 再生可能エネルギーの管理および貯蔵システム
サーバー電源 ; データセンターやITインフラの電力管理
基地局電源 ; 通信インフラ用の電源
オンボードチャージャー (OBC) ; 電気自動車の充電
充電スタンド ; EVの急速充電システム
DC/DC;各種電子機器の電源変換
家電;家庭用電化製品向けの高効率電源<br>
SiC MOSFET ベアダイ、PKGラインナップ
| VDSS | RDS(ON) | Bare die | TO247-3L | TO247-4L | TO247-4L Plus |
TO247-4LA | TO263-7L | SAPKG-9L |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 650V | 27mΩ | 〇 | 〇 | 〇 | ||||
| 35mΩ | 〇 | 〇 | 〇 | |||||
| 50mΩ | ● | ● | 〇 | 〇 | ||||
| 65mΩ | 〇 | 〇 | ||||||
| 750V | 11mΩ | 〇 | 〇 | |||||
| 900V | 15mΩ | 〇 | 〇 | 〇 | ||||
| 1200V | 8mΩ | 〇 | ||||||
| 13mΩ | 〇 | |||||||
| 16mΩ | ● | ● | 〇 | |||||
| 18mΩ | ● | 〇 | 〇 | |||||
| 20mΩ | ● | ● | ||||||
| 32mΩ | ● | ● | 〇 | 〇 | ||||
| 40mΩ | 〇 | 〇 | ||||||
| 75mΩ | 〇 | 〇 | 〇 | 〇 | 〇 | |||
| 1700V | 1 Ω | ● | ● | 〇 |
SiC SBD ベアダイ、PKGラインナップ
| VRRM | IF | Bare die | TO220-2L | TO220F-2L | TO220N-2L | TO247-2L | TO247-3L | TO252-2L | TO263-2L | TO3PF-3L | DFN8*8-4L | SAPKG | SMBF |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 650V | 1A | ● | ● | ||||||||||
| 2A | ● | ● | |||||||||||
| 4A | ● | ● | ● | ||||||||||
| 6A | ● | ● | ● | ● | ● | ● | |||||||
| 8A | ● | ● | ● | ● | ● | ● | |||||||
| 10A | ● | ● | ● | ● | ● | ● | 〇 | ||||||
| 12A | ● | ● | ● | ● | |||||||||
| 16A | ● | ● | ● | ● | ● | ||||||||
| 20A | ● | ● | ● | ● | ● | ● | ● | ||||||
| 30A | ● | ● | ● | ||||||||||
| 40A | ● | ● | ● | ||||||||||
| 50A | ● | ● | ● | ||||||||||
| 1200V | 1A | ● | ● | ||||||||||
| 2A | ● | ● | ● | ||||||||||
| 3A | ● | ● | |||||||||||
| 5A | ● | ● | ● | ||||||||||
| 10A | ● | ● | ● | ● | ● | ● | |||||||
| 15A | ● | ● | ● | ||||||||||
| 20A | ● | ● | ● | ● | ● | ||||||||
| 27A | ● | ● | |||||||||||
| 30A | ● | ● | ● | ||||||||||
| 40A | ● | ● | ● | ||||||||||
| 50A | ● | ● | 〇 | ||||||||||
| 60A | ● | ● | ● | ||||||||||
| 1700V | 25A | ● | ● | ||||||||||
| 50A | 〇 | 〇 | |||||||||||
| 2000V | 20A | 〇 | 〇 | ||||||||||
| 40A | 〇 | 〇 |
Q&A よくあるご質問
- Q.ベアダイのチップサイズを教えてください。
- A.お問合せフォームよりご相談ください。
- Q.ベアダイの電極の仕様を教えてください。
- A.お問合せフォームよりご相談ください。
- Q.梱包形態を教えてください。
- A.ディスクリート品はスティック、ベアダイはブルーテープ貼り付けた形態です。（トレー詰めの相談も可能です）
- Q.各種データシートはありますか？
- A.はい。ご用意しておりますので、お問合せください。
- Q.各種サンプル提供は可能ですか？
- A.お問合せフォームよりご相談ください。
- Q.SiCウエハの取り扱いはしていますか？
- A.はい。6インチ、8インチのSiCウエハを販売しています。
- Q.SiCパワー半導体のOEM生産は可能ですか？
- A.はい。湖南三安半導体社はSiCの材料から、ウエハ、エピタキシャル成長、KGD,パッケージングまで一貫生産していますので、ご要望に応じて協力する事は可能です。
