SiCパワー半導体 三安半導体(湖南三安半導体)製品

概要

三安半導体(Hunan Sanan Semiconductor Co.,Ltd.)はパワー半導体SiC/GaNの専業メーカーです。中国湖南省長沙市ハイテク開発ゾーンに材料からパッケージングまでの全長1.4㎞のSiCパワー半導体のメガファブを構えています。同じ規模の工場を現在隣に建設中です。独自の研究開発と産業の協力を通じて結晶成長、SiC(炭化ケイ素)ウエハ、エピ成長、チップの製造及びパッケージングまでを垂直統合した一貫工場です。
パウダーの調合からデバイスのパッケージング及びテスト工程まですべてを管理。積極的な自動化で生産能力の向上と厳格なコストを管理しています。
湖南三安半導体(Hunan Sanan Semiconductor Co.,Ltd.)の事業は、 SiC(炭化ケイ素)結晶成長 /SiC(炭化ケイ素)基板 /SiCエピ成長 /チップ製造 /パッケージング /SBD /MOSEFT /SiCパワーデバイスモジュール と各工程ごとのファンドリービジネスやGaN(ガリウムナイトライド)のファンドリービジネスと多岐にわたります。
ヤマトマテリアルはパワー半導体のチップ検査コンタクタ、パワーサイクル試験受託、熱解析装置、チップ出荷用トレイなどの販売に加え、湖南三安半導体(Hunan Sanan Semiconductor Co.,Ltd.)のSICウエハー(6インチ、8インチ、プライム、ダミーグレード)、KGDチップ、SBD、MOSFETのディスクリートデバイスの販売とファウンドリービジネスのご提案をしています。

湖南三安半導体SiC Mega Fab 一貫工場の全景

SiC SBD 一覧  BV≧650V

※ ● 量産中    〇 開発中    ● 車載信頼性規格AEC-Q101準拠  2024年4月1日現在

Type

IF(A)
2 4 6 8 10 12 16 20 40 60 80 100
Bare Die
DFN 8*8
TO252-2L
TO263-2L
TO220-2L
TO220N-2L
TO247-2L
TO247-3L
SOT227

SiC SBD 一覧  BV≧1200V

※ ● 量産中     〇 開発中    ● 車載信頼性規格AEC-Q101準拠  2024年4月1日現在

Type

IF(A)
2 5 10 15 20 27 30 40 60 80 100
Bare Die
TO252-2L
TO263-2L
TO220-2L
TO247-2L
TO247N-3L
SOT227

SiC MOSFET 一覧

※ ● 量産中     〇  開発中        2024年4月1日現在

Type

BV≧1200V BV≧750V BV≧1700V
RDS(ON)(mΩ)
16 32 80 16 1000
Bare Die
TO247-3L
TO247-4L
TO263-7L

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