ダイシング・バックグラインド受託加工

概要

ダイシング受託やバックグラインドの受託加工。SiウエハはもとよりSiCやGaNなどの化合物半導体や５Gなどで需要が増えているセラミック基板、イメージセンサー用のカバーガラスのダイシング・バックグラインドも行います。
開発時の小Lot試作、工程オーバーフロー時の外部委託はもちろん、破損ウエハの救済にも対応可能です。その他、成膜やウエハ洗浄等のご相談にも対応致します。

特徴

・ICチップをより小さく切断・薄く 高精度で加工します
・SiCウエハのノッチ、エッジ面取り
・シリコンウエハだけではなく、光学ガラス・セラミック・ＳiＣなどにも対応
・ICチップ単体〜300ｍｍウエハまで対応可能

用途・分野

用　途
・チップ開発時のダイシング、バックグラインド（ＢＧ）、ＣＭＰ加工
・チップトレイへの詰め替え作業
・口径違いのリングへの貼替作業
・割れたウエハの救済ダイシング

分　野
・民生用半導体（Ｓi、セラミック）
・車載用化合物半導体（Ｓi、ＳiＣ、ＧaＮ、酸化ガリウム）
・光学製品（イメージセンサー用カバーガラス、サファイア基板）
・通信デバイス（５Ｇ向けセラミック基板）

シリコンウエハ、ガラス、サファイヤ、セラミックス、化合物半導体まで『削る』、『切る』の技術で試作から量産までサポートさせて頂きます。
開発時の小Lot試作、工程オーバーフロー時の外部委託はもちろん、破損ウエハの救済にも対応可能です。その他、成膜やウエハ洗浄等のご相談にも対応致します。

受託加工内容